S.W.Li
金属学报(英文版)
Structural and optical properties of vertically aligned lnAs quantum dots (QDs) were embedded in Al0.5Ga0.5As spacer layers. The aligned QDs were grown at 520℃ in the Stranski-Krastanow (S-K) growth mode of molecular beam epitaxy. To improve QD characteristics, we employed a size- and density-controlled growth procedure in the upper layers. Measurements by reflection high-energy electron diffraction (RHEED) and atomic force microscopy (AFM) showed that both the size and density of the QDs. The temperature dependence of the wavelength-integrated photoluminescence (PL) intensity revealed the InAs QD emission.
关键词:
quantum dot
,
null
,
null
魏全香
,
王鹏飞
,
任正伟
,
贺振宏
材料科学与工程学报
1.55微米波段GaAs基近红外长波长材料在光纤通讯,高频电路和光电集成等领域有潜在的应用价值.本文用分子束外延方法研究了GaAs基异变InAs量子点材料的生长,力图实现在拓展量子点发光波长的同时保持或增加InAs量子点的密度.在实验中,首先优化了In0.15GaAs异变缓冲层的生长,研究了生长温度和退火对减少穿通位错的作用.在此基础上,优化了长波长InAs量子点的生长.最终在GaAs基上获得了温室发光波长在1491rim,半高宽为27.73meV,密度达到4×1010cm-2的InAs量子点.
关键词:
异变
,
InAs量子点
,
分子束外延
,
发光波长
周海飞
,
龚谦
,
王凯
,
康传振
,
严进一
,
王庶民
材料科学与工程学报
我们利用气态源分子束外延设备在不同In组分的InGaP或InAlP虚衬底上生长Ge薄膜,并比较不同虚衬底上Ge薄膜的材料性质.利用拉曼光谱方法测得生长在InGaP虚衬底上的Ge薄膜最大的张应变量可达1.8％,而生长在InAlP虚衬底上的最大张应变量可达2.0％.通过对表面Ge进行腐蚀并测试电阻的方法,我们发现Ge生长在InGaP上存在平行导电问题,而Ge生长在InAlP上则可以消除平行导电的影响.通过霍尔测试验证了Ge受到张应变时对电子迁移率的提高作用.
关键词:
分子束外延
,
InGaP
,
InAlP
,
张应变Ge
